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MRF6P18190HR6 /Freescale Semiconductor/分立半导体产品
MRF6P18190HR6的规格信息
MRF6P18190HR6的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

PCN 过时产品/ EOL：RF Devices 01/Jul/2010

标准包装：150

类别：分立半导体产品

家庭：RF FET

系列：-

包装：带卷（TR）

晶体管类型：LDMOS

频率：1.87GHz

增益：15.9dB

电压 - 测试：28V

额定电流：10µA

噪声系数：-

电流 - 测试：2A

功率 - 输出：44W

电压 - 额定：68V

封装/外壳：NI-1230

供应商器件封装：NI-1230

供应商MRF6P18190HR6
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MRF6P18190HR6RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET FREESCALE[Freescale Semiconductor, Inc]FREESCALE[Freescale Semiconductor, Inc]的LOGO461.44 Kbytes共12页MRF6P18190HR6的PDF下载地址MRF6P21190HR6,MRF18085A,MRF6P3300HR5,MRF1517T1,MRF6P27160HR6,MRF9002NR2,MRF5S21130,MRF6522-70R3,MW6S004NT1,MW6S010NR1
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