制造商:Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类:射频(RF)双极晶体管
RoHS:是
晶体管类型:Bipolar
技术:Si
晶体管极性:NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min:5
集电极—发射极最大电压 VCEO:20 V
发射极 - 基极电压 VEBO:2 V
集电极连续电流:400 mA
最小工作温度:- 65 C
最大工作温度:+ 200 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOIC-8
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
工作频率:200 MHz
类型:RF Bipolar Small Signal
商标:Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散:1.5 W
产品类型:RF Bipolar Transistors
工厂包装数量:500
子类别:Transistors
单位重量:540 mg