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MRF1K50NR5 /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50N/FM4F///REEL 13
MRF1K50NR5的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:NXP

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:是

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:36 A

Vds-漏源极击穿电压:133 V

增益:23 dB

输出功率:1.5 kW

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:OM-1230-4L

封装:Cut Tape

封装:Reel

工作频率:1.8 MHz to 500 MHz

类型:RF Power MOSFET

商标:NXP / Freescale

正向跨导 - 最小值:33.5 S

通道数量:2 Channel

湿度敏感性:Yes

Pd-功率耗散:2.941 kW

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:- 6 V, 10 V

Vgs th-栅源极阈值电压:1.7 V

零件号别名:935318822578

单位重量:5.281 g

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Mouser 贸泽电子		MRF1K50NR5NXP / Freescale射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V1:¥1,320.1112
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10:¥1,264.3231
25:¥1,245.6555
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