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MRF1K50H-TF2 /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50H-TF2/HWONLY///BOARDS NO MARK
MRF1K50H-TF2的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:NXP

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:

晶体管极性:Dual N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:36 A

Vds-漏源极击穿电压:135 V

增益:23.7 dB

输出功率:1.5 kW

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:NI-1230H-4S

工作频率:1.8 MHz to 500 MHz

系列:MRF1K50H

类型:RF Power MOSFET

商标:NXP / Freescale

正向跨导 - 最小值:33.5 S

通道数量:2 Channel

Pd-功率耗散:1.667 kW

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:1

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:- 6 V, 10 V

Vgs th-栅源极阈值电压:1.7 V

零件号别名:935336497598

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