制造商:NXP
产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS:是
晶体管极性:Dual N-Channel
技术:Si
Id-连续漏极电流:36 A
Vds-漏源极击穿电压:135 V
增益:23.7 dB
输出功率:1.5 kW
最小工作温度:- 40 C
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:NI-1230H-4S
工作频率:1.8 MHz to 500 MHz
系列:MRF1K50H
类型:RF Power MOSFET
商标:NXP / Freescale
正向跨导 - 最小值:33.5 S
通道数量:2 Channel
Pd-功率耗散:1.667 kW
产品类型:RF MOSFET Transistors
工厂包装数量:1
子类别:MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压:- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压:1.7 V
零件号别名:935336497598