包装管件
系列HiPerFET™，Polar3™
零件状态有源
FET 类型2 N-通道（双）
FET 功能标准
漏源电压（Vdss）500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）30A（Tc）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）110 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）5V @ 4mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）96nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）6250pF @ 25V
功率 - 最大值320W
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
封装/外壳24-SMD 模块（9 引线）
供应商器件封装24-SMPD