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MMIX1T550N055T2 /MOSFET SMPD MOSFETs Power Device
MMIX1T550N055T2的规格信息
MMIX1T550N055T2的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:IXYS

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SMPD-24

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:55 V

Id-连续漏极电流:550 A

Rds On-漏源导通电阻:1.3 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3.8 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:595 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:830 W

通道模式:Enhancement

商标名:HiPerFET

封装:Tube

高度:5.7 mm

长度:25.25 mm

系列:MMIX1T550N055

类型:TrenchT2 GigaMOS Power MOSFET

宽度:23.25 mm

商标:IXYS

正向跨导 - 最小值:90 S

下降时间:230 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:40 ns

工厂包装数量:20

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:90 ns

典型接通延迟时间:45 ns

供应商MMIX1T550N055T2
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