标准包装：10
类别：分立半导体产品
家庭：FET - 阵列
系列：-
包装：剪切带（CT）
FET 类型：2 个 N 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：3.4A
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：80 毫欧 @ 3.4A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：28nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：900pF @ 32V
功率 - 最大值：1.39W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOIC N
其它名称：MMDF3N04HDR2OSCT