Rohs：Contains lead / RoHS non-compliant

产品更改通知：Product Discontinuation 30/Jun/2004

标准包装：2,500

FET 型 ：2 N-Channel (Dual)

FET特点：Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：30V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：4.1A

Rds（最大）@ ID，VGS：70 mOhm @ 3A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：3V @ 250µA

栅极电荷（Qg）@ VGS：16nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：630pF @ 24V

功率 - 最大：2W

安装类型 ：Surface Mount

包/盒 ：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

供应商器件封装：8-SOICN

包装材料 ：Tape & Reel (TR)

最大门源电压：±20

最大漏源电压：30

最高工作温度：150

通道模式：Enhancement

标准包装名称：SOIC

最低工作温度：-55

渠道类型：N

封装：Tape and Reel

最大漏源电阻：70@10V

每个芯片的元件数：2

供应商封装形式：SOIC

最大功率耗散：2000

最大连续漏极电流：4.1

引脚数：8

铅形状：Gull-wing