MMBT7002W
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):115mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:7.5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):200mW 类型:N沟道
MMBT7002W的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)115mA
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻7.5Ω @ 500mA,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)200mW
类型N沟道
MMBT7002W
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MMBT7002W | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):115mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:7.5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):200mW 类型:N沟道 | ST(先科) |  | 662.57 Kbytes | 共3页 |  | 无 |
MMBT7002W的全球分销商及价格
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 立创商城 | MMBT7002W | ST(先科) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):115mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:7.5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):200mW 类型:N沟道 | 20+:¥0.148801 200+:¥0.107463 600+:¥0.09987 2000+:¥0.092277 10000+:¥0.088903 20000+:¥0.087236
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