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MMBT7002 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):115mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:7.5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):200mW 类型:N沟道
MMBT7002的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)60V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)115mA

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻7.5Ω @ 500mA,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)200mW

类型N沟道

供应商MMBT7002
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现代芯城(深圳)科技有限公司MMBT7002www.nowchip.com0755-27381274
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MMBT7002N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor SEMTECH_ELEC[SEMTECH ELECTRONICS LTD.]SEMTECH_ELEC[SEMTECH ELECTRONICS LTD.]的LOGO215.84 Kbytes共2页MMBT7002的PDF下载地址AOT460,AO6810,AO5800E,AO4728L,STM8020,STU330S,CEM3138,CEM9926A,CEP655N,CEPF630B
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MMBT7002KN-Channel Enhancement Mode FET DIOTEC[Diotec Semiconductor]DIOTEC[Diotec Semiconductor]的LOGO146.75 Kbytes共3页MMBT7002K的PDF下载地址
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MMBT7002W连续漏极电流(Id)(25°C 时):115mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:7.5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):200mW 类型:N沟道ST(先科)ST(先科)的LOGO662.57 Kbytes共3页MMBT7002W的PDF下载地址
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MMBT7002KDiotec SemiconductorMOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3$0.02590
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MMBT7002ST(先科)连续漏极电流(Id)(25°C 时):115mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:7.5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):200mW 类型:N沟道20+:¥0.149934
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MMBT7002WST(先科)连续漏极电流(Id)(25°C 时):115mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:7.5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):200mW 类型:N沟道20+:¥0.148801
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