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MMBT3904-G /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) VCEO=40V IC=200mA
MMBT3904-G的规格信息
MMBT3904-G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Comchip Technology

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

晶体管极性:NPN

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:40 V

集电极—基极电压 VCBO:60 V

发射极 - 基极电压 VEBO:6 V

集电极—射极饱和电压:0.3 V

最大直流电集电极电流:0.2 A

增益带宽产品fT:300 MHz

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:MMBT3904

直流电流增益 hFE 最大值:400

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

商标:Comchip Technology

集电极连续电流:0.2 A

直流集电极/Base Gain hfe Min:100

Pd-功率耗散:200 mW (1/5 W)

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:3000

子类别:Transistors

供应商MMBT3904-G
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MMBT3904-G的全球分销商及价格
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MMBT3904-GComchip Technology CorporationTRANSISTOR NPN 40V 0.2A SOT-23价格未公开
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MMBT3904-GCOMCHIP TECHNOLOGY晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品 射频双极晶体管 VCEO=40V IC=200mA 半导体3000+:¥0.23
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MMBT3904-GComchip TechnologyTRANS NPN 40V 200MA SOT23$0.22000
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MMBT3904-GComchip Technology CorporationTRANS NPN 40V 0.2A SOT-233,000 : $0.03167
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MMBT3904-GComchip Technology双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) VCEO=40V IC=200mA1:¥1.4577
10:¥1.2317
100:¥0.47686
1,000:¥0.29945
3,000:¥0.22261
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MMBT3904-GCOMCHIP TECHNOLOGY晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品 射频双极晶体管 VCEO=40V IC=200mA 半导体3000+:¥0.231+:¥1.57
10+:¥1.02
100+:¥0.42
1000+:¥0.28
3000+:¥0.22
9000+:¥0.22
24000+:¥0.21
45000+:¥0.21
99000+:¥0.19
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MMBT3904-GCJ(江苏长电/长晶)集电极电流Ic:200mA 额定功率:200mW 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压Vce:40V50+:¥0.084075
500+:¥0.064582
1500+:¥0.061002
5000+:¥0.057422
25000+:¥0.055831
50000+:¥0.055045