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MMBT3416LT3 /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
MMBT3416LT3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Diodes Incorporated

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

配置:Single

晶体管极性:NPN

集电极—发射极最大电压 VCEO:40 V

发射极 - 基极电压 VEBO:4 V

最大直流电集电极电流:0.1 A

最大工作温度:+ 150 C

商标:Diodes Incorporated

直流集电极/Base Gain hfe Min:75 at 2 mA at 4.5 V

最小工作温度:- 55 C

Pd-功率耗散:300 mW

供应商MMBT3416LT3
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深圳德泰威尔科技有限公司MMBT3416LT3G上步工业区405栋30815820798353
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MMBT3416LT3的全球分销商及价格
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MMBT3416LT3GON SemiconductorTransistor NPN 40V 100mA HFE:75 SOT-23250 : $0.0143
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MMBT3416LT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT3416LT3ON SemiconductorSMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR$0.02000
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MMBT3416LT3GON SemiconductorTRANS NPN 40V 0.1A SOT23-340,000 : $0.01566
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MMBT3416LT3GON Semiconductor双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40 V NPN Bipolar Transistor1:¥1.07576
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