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MMBT2907A-G /射频(RF)双极晶体管 VCEO=60V IC=600mA
MMBT2907A-G的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Comchip Technology

产品种类:射频(RF)双极晶体管

RoHS:

系列:MMBT2907A

晶体管类型:Bipolar Power

技术:Si

晶体管极性:PNP

直流集电极/Base Gain hfe Min:50

集电极—发射极最大电压 VCEO:- 60 V

发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 V

集电极连续电流:- 600 mA

最小工作温度:-

最大工作温度:+ 150 C

配置:Single

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

工作频率:200 MHz

输出功率:-

类型:RF Bipolar Power

商标:Comchip Technology

Pd-功率耗散:250 mW

产品类型:RF Bipolar Transistors

工厂包装数量:3000

子类别:Transistors

单位重量:8 mg

供应商MMBT2907A-G
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MMBT2907A-GComchip Technology CorporationTRANSISTOR PNP 60V 600mA SOT-23价格未公开
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MMBT2907A-GCOMCHIP TECHNOLOGY晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品3000+:¥0.28
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MMBT2907A-GComchip Technology CorporationTRANS PNP 60V 0.6A SOT-233,000 : $0.03864
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MMBT2907A-GComchip TechnologyTRANS PNP 60V 0.6A SOT-23$0.27000
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