FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：6V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：2A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.2V @ 250µA

Vgs（最大值）：6V

功率耗散（最大值）：270mW（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：84 毫欧 @ 100mA，4.5V

工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：SC-70-6

封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs