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MIC94052YC6-TR /MOSFET 1.8V-rated PFET
MIC94052YC6-TR的规格信息
MIC94052YC6-TR的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Microchip

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SC-70-6

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:6 V

Id-连续漏极电流:2 A

Rds On-漏源导通电阻:70 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:500 mV

Vgs - 栅极-源极电压:1.8 V

Qg-栅极电荷:-

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:270 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

商标:Microchip Technology / Micrel

下降时间:20 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:15 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:60 ns

典型接通延迟时间:15 ns

零件号别名:MIC94052YC6 TR

单位重量:28 mg

供应商MIC94052YC6-TR
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MIC94052YC6-TR连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A 漏源电压(Vdss):-6V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:84mΩ @ 100mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):270mW 类型:P沟道MICROCHIP(美国微芯)MICROCHIP(美国微芯)的LOGO214.13 Kbytes共5页MIC94052YC6-TR的PDF下载地址
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MIC94052YC6-TRMicrochip Technology / MicrelMOSFET 1.8V-rated PFET1:¥4.1471
10:¥4.1245
25:¥3.4804
100:¥3.164
3,000:¥3.164
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MIC94052YC6-TRMICROCHIP(美国微芯)连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A 漏源电压(Vdss):-6V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:84mΩ @ 100mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):270mW 类型:P沟道1+:¥6.33
10+:¥4.72
30+:¥4.43
100+:¥4.13
500+:¥4
1000+:¥3.94