FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：1.6A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.4V @ 250µA

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：140pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：5V

功率耗散（最大值）：420mW（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：100 毫欧 @ 1.2A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs