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MGSF1N02ELT1 / Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R
MGSF1N02ELT1的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C:750mA

Drain to Source Voltage (Vdss):20V

FET Feature:Logic Level Gate

FET Type:MOSFET N-Channel, Metal Oxide

Input Capacitance (Ciss) @ Vds:160pF @ 5V

Mounting Type:Surface Mount

Package / Case:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power - Max:400mW

Product Change Notification:View

Rds On (Max) @ Id, Vgs:85 mOhm @ 1A, 4.5V

Supplier Device Package:SOT-23-3

Vgs(th) (Max) @ Id:1V @ 250µA

最大门源电压:±8

最大漏源电压:20

最高工作温度:150

通道模式:Enhancement

标准包装名称:SOT-23

最低工作温度:-55

渠道类型:N

封装:Tape and Reel

最大漏源电阻:85@4.5V

每个芯片的元件数:1

供应商封装形式:SOT-23

最大功率耗散:400

最大连续漏极电流:0.75

引脚数:3

铅形状:Gull-wing

供应商MGSF1N02ELT1
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现代芯城(深圳)科技有限公司MGSF1N02ELT1Gwww.nowchip.com0755-27381274
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MGSF1N02ELT1N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT-MODE TMOS MOSFET MOTOROLA[Motorola, Inc]MOTOROLA[Motorola, Inc]的LOGO116.94 Kbytes共5页MGSF1N02ELT1的PDF下载地址MMBF2201NT1,IRLZ44,FDD6632,FDS4410,FDS6812A,FQS4410,HUF76419D3,HUF76645P3,HUF76439P3,RF1K49090
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