LSF65R380GT
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：380mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：125W(Tc) 类型：N沟道
LSF65R380GT的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）650V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）11A(Tc)
栅源极阈值电压4.5V @ 250uA
漏源导通电阻380mΩ @ 5.5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）125W(Tc)
类型N沟道
LSF65R380GT
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| LSF65R380GT | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：380mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：125W(Tc) 类型：N沟道 | LONTEN(龙腾半导体) |  | 1.33 Mbytes | 共13页 |  | 无 |
LSF65R380GT的全球分销商及价格
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立创商城 | LSF65R380GT | LONTEN(龙腾半导体) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：380mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：125W(Tc) 类型：N沟道 | 1+:￥4.83
10+:￥3.54
30+:￥3.31
100+:￥3.07
500+:￥2.97
1000+:￥2.91
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