LSF65R380GF
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):11A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:380mA @ 5.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):125W(Tc) 类型:N沟道
LSF65R380GF的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)11A(Tc)
栅源极阈值电压4.5V @ 250uA
漏源导通电阻380mA @ 5.5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)125W(Tc)
类型N沟道
LSF65R380GF
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LSF65R380GF | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):11A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:380mA @ 5.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):125W(Tc) 类型:N沟道 | LONTEN(龙腾半导体) |  | 1.33 Mbytes | 共13页 |  | 无 |
LSF65R380GF的全球分销商及价格
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 立创商城 | LSF65R380GF | LONTEN(龙腾半导体) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):11A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:380mA @ 5.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):125W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥5.01 10+:¥3.68 30+:¥3.44 100+:¥3.19 500+:¥3.08 1000+:¥3.03
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