LSE80R350GT
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):15A(Tc) 漏源电压(Vdss):800V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:350mΩ @ 7.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:N沟道
LSE80R350GT的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)800V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)15A(Tc)
栅源极阈值电压4.5V @ 250uA
漏源导通电阻350mΩ @ 7.5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)-
类型N沟道
LSE80R350GT
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LSE80R350GT | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):15A(Tc) 漏源电压(Vdss):800V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:350mΩ @ 7.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:N沟道 | LONTEN(龙腾半导体) |  | 1.17 Mbytes | 共12页 |  | 无 |
LSE80R350GT的全球分销商及价格
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 立创商城 | LSE80R350GT | LONTEN(龙腾半导体) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):15A(Tc) 漏源电压(Vdss):800V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:350mΩ @ 7.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:N沟道 | 1+:¥9 10+:¥6.6 30+:¥6.16 100+:¥5.72 500+:¥5.52 1000+:¥5.42
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