LSE65R380HT
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):11A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:380mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):90W 类型:N沟道
LSE65R380HT的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)11A
栅源极阈值电压4.5V @ 250uA
漏源导通电阻380mΩ @ 5.5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)90W
类型N沟道
LSE65R380HT
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LSE65R380HT | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):11A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:380mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):90W 类型:N沟道 | LONTEN(龙腾半导体) |  | 1.15 Mbytes | 共12页 |  | 无 |
LSE65R380HT的全球分销商及价格
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 立创商城 | LSE65R380HT | LONTEN(龙腾半导体) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):11A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:380mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):90W 类型:N沟道 | 1+:¥4.7 10+:¥3.45 30+:¥3.22 100+:¥2.99 500+:¥2.89 1000+:¥2.83
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