LSC65R180GT的供应商，LSC65R180GT规格参数，LSC65R180GT的PDF资料

LSC65R180GT /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：180mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道

LSC65R180GT的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）650V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）20A(Tc)

栅源极阈值电压4.5V @ 250uA

漏源导通电阻180mΩ @ 10A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）-

类型N沟道

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LSC65R180GT	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：180mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道	LONTEN(龙腾半导体)		1.16 Mbytes	共13页		无

LSC65R180GT的全球分销商及价格

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立创商城	LSC65R180GT	LONTEN(龙腾半导体)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：180mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道	1+:￥7.71 10+:￥5.65 30+:￥5.28 100+:￥4.9 500+:￥4.73 1000+:￥4.65

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