LSC65R125HT
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):25A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:125mΩ @ 12.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):216W(Tc) 类型:N沟道
LSC65R125HT的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)25A(Tc)
栅源极阈值电压4.5V @ 250uA
漏源导通电阻125mΩ @ 12.5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)216W(Tc)
类型N沟道
LSC65R125HT
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LSC65R125HT | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):25A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:125mΩ @ 12.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):216W(Tc) 类型:N沟道 | LONTEN(龙腾半导体) |  | 1.15 Mbytes | 共13页 |  | 无 |
LSC65R125HT的全球分销商及价格
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 立创商城 | LSC65R125HT | LONTEN(龙腾半导体) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):25A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:125mΩ @ 12.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):216W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥11.16 10+:¥8.17 30+:¥7.62 100+:¥7.07 500+:¥6.83 1000+:¥6.71
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