LPN2010C
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A(Tj) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:20mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):80W(Tj) 类型:N沟道
LPN2010C的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)50A(Tj)
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻20mΩ @ 8A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)80W(Tj)
类型N沟道
LPN2010C
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| LPN2010C | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A(Tj) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:20mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):80W(Tj) 类型:N沟道 | 芯茂微 |  | 839.92 Kbytes | 共7页 |  | 无 |
LPN2010C的全球分销商及价格
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 立创商城 | LPN2010C | 芯茂微 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A(Tj) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:20mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):80W(Tj) 类型:N沟道 | 1+:¥1.9137 10+:¥1.4389 30+:¥1.3517 100+:¥1.2645 500+:¥1.2258 1000+:¥1.2066
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