LPN1010C
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):70A(Tj) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:10mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):330W(Tj) 类型:N沟道
LPN1010C的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)70A(Tj)
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻10mΩ @ 10A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)330W(Tj)
类型N沟道
LPN1010C
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LPN1010C | Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET | LANDP[Shenzhen Xinmao Microelectronics Co., Ltd.] | ![LANDP[Shenzhen Xinmao Microelectronics Co., Ltd.]的LOGO](/PdfSupLogo/1174LANDP.GIF) | 800.21 Kbytes | 共7页 |  | 无 |
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 立创商城 | LPN1010C | 芯茂微 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):70A(Tj) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:10mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):330W(Tj) 类型:N沟道 | 1+:¥3.81 10+:¥2.84 30+:¥2.67 100+:¥2.49 500+:¥2.41 1000+:¥2.37
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