LNG08R085
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：70A(Tc) 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：11mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：104W(Tc) 类型：N沟道
LNG08R085的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）80V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）70A(Tc)
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻11mΩ @ 10A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）104W(Tc)
类型N沟道
LNG08R085
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| LNG08R085 | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：70A(Tc) 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：11mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：104W(Tc) 类型：N沟道 | LONTEN(龙腾半导体) |  | 1.20 Mbytes | 共8页 |  | 无 |
LNG08R085的全球分销商及价格
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10+:￥1.92
30+:￥1.79
100+:￥1.67
500+:￥1.61
1000+:￥1.59
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