LNG06R200
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):35A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:25mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W(Tc) 类型:N沟道
LNG06R200的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)35A(Tc)
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻25mΩ @ 10A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)50W(Tc)
类型N沟道
LNG06R200
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LNG06R200 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):35A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:25mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W(Tc) 类型:N沟道 | LONTEN(龙腾半导体) |  | 784.91 Kbytes | 共9页 |  | 无 |
LNG06R200的全球分销商及价格
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 立创商城 | LNG06R200 | LONTEN(龙腾半导体) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):35A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:25mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥0.9059 10+:¥0.671 30+:¥0.6278 100+:¥0.5847 500+:¥0.5655 1000+:¥0.5561
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