图像仅供参考,请参阅规格书
技术:Si
极性Polarity:N-CH
漏源极击穿电压VDSS:50V
连续漏极电流ID:200mA
封装/外壳:SOT-23
VDSS(V):50
ID(A):.2
VGS(th)Min(V):.5
VGS(th)Max(V):1.5
RDS(on) (m?):3500
@VGS(V)/IDS(A):5/0.2
Polarity:N-Channel
无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs