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LBSS123LT1G /MOSFET
LBSS123LT1G的规格信息
LBSS123LT1G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

技术:Si

封装形式Package:SOT-23

极性Polarity:N

漏源极击穿电压VDSS:100V

连续漏极电流ID:0.17A

漏源极导通电阻RDS(ON):6Ohms

栅源极阀值电压VGS(th):0.8V

封装/外壳:SOT-23

VDSS(V):100

ID(A):.17

VGS(th)Min(V):.8

VGS(th)Max(V):2

RDS(on) (m?):6000

@VGS(V)/IDS(A):10/0.1

Polarity:N-Channel

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商LBSS123LT1G
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深圳市天卓伟业电子有限公司LBSS123LT1G深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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深圳市芯幂科技有限公司LBSS123LT1G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市成源运利电子科技有限公司LBSS123LT1G深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
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深圳市坤融电子有限公司LBSS123LT1G航都大厦10I0755-23990975
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芯莱德电子(香港)有限公司LBSS123LT1G深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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深圳市辉华拓展电子有限公司LBSS123LT1G深圳市福田区航都大厦25F0755-82790891
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深圳市凯睿晟科技有限公司LBSS123LT1G世纪汇都会轩45070755-82788062
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深圳市星宇佳科技有限公司LBSS123LT1G深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
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深圳市骏创达科技有限公司LBSS123LT1G深圳市龙岗区坂田街道星河WORLD 1期A座20楼20020755-23917105,0755-23964265
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深圳市仓实科技有限公司LBSS123LT1G深圳市福田区福田街道17080955875李先生Email:service@cangshixc.com询价
深圳诚思涵科技有限公司LBSS123LT1G深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
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LBSS123LT1GN-CHANNEL POWER MOSFET LRC[Leshan Radio Company]LRC[Leshan Radio Company]的LOGO99.51 Kbytes共4页LBSS123LT1G的PDF下载地址MRF154,STB160NF02L,STB30NS15,STB60NF06,STW13NK80Z,STB80NF03L-04,SSM01N60J,STE180NE10,STN3NF06,STP36NF03L
LBSS123LT1GN-Channel 100-V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO1749.91 Kbytes共8页LBSS123LT1G的PDF下载地址
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LBSS123LT1GLRC Leshan Radio Co LtdZENER30,000 : $0.02
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LBSS123LT1GLRC(乐山无线电)连续漏极电流(Id)(25°C 时):170mA 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2V @ 1mA 漏源导通电阻:6Ω @ 100mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):225mW 类型:N沟道20+:¥0.126272
200+:¥0.097265
600+:¥0.091937
2000+:¥0.086609
10000+:¥0.084241
20000+:¥0.083071