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L2SK801LT1G /连续漏极电流(Id)(25°C 时):310mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:2.5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):300mW 类型:N沟道
L2SK801LT1G的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)60V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)310mA

栅源极阈值电压2.2V @ 250uA

漏源导通电阻2.5Ω @ 500mA,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)300mW

类型N沟道

供应商L2SK801LT1G
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现代芯城(深圳)科技有限公司L2SK801LT1Gwww.nowchip.com0755-27381274
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L2SK801LT1GLRC(乐山无线电)连续漏极电流(Id)(25°C 时):310mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:2.5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):300mW 类型:N沟道20+:¥0.150741
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