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L2SK3018WT1G /二极管与整流器
L2SK3018WT1G的规格信息
L2SK3018WT1G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

系列:L2S

封装/外壳:Reel

封装形式Package:SC-70

极性Polarity:N(with ESD)

漏源极击穿电压VDSS:30V

连续漏极电流ID:0.1A

漏源极导通电阻RDS(ON):8Ohms

栅源极阀值电压VGS(th):0.8V

封装/外壳:SC-70

VDSS(V):30

ID(A):.1

VGS(th)Min(V):.8

VGS(th)Max(V):1.5

RDS(on) (m?):8000

@VGS(V)/IDS(A):4/0.01

Polarity:N-Channel(with ESD)

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商L2SK3018WT1G
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L2SK3018WT1GN-channel MOSFET 100 mA, 30 V LRC[Leshan Radio Company]LRC[Leshan Radio Company]的LOGO317.5 Kbytes共5页L2SK3018WT1G的PDF下载地址
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L2SK3018WT1GLRC(乐山无线电)连续漏极电流(Id)(25°C 时):100mA 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.5V @ 100uA 漏源导通电阻:8Ω @ 10mA,4V 最大功率耗散(Ta=25°C):200mW(Tc) 类型:N沟道20+:¥0.111963
200+:¥0.080425
600+:¥0.074633
2000+:¥0.06884
10000+:¥0.066266
20000+:¥0.064993