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KSC5321 /isc Silicon NPN Power Transistor
KSC5321的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

晶体管极性NPN

集电极—发射极最大电压 VCEO500 V

发射极 - 基极电压 VEBO7 V

最大直流电集电极电流5 A

直流集电极/Base Gain hfe Min15

最大工作频率14 MHz

最大工作温度+ 150 C

安装风格Through Hole

封装 / 箱体TO-220

封装Bulk

功率耗散100000 mW

供应商KSC5321
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