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KSC5026MOS /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor
KSC5026MOS的规格信息
KSC5026MOS的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-126-3

晶体管极性:NPN

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:800 V

集电极—基极电压 VCBO:1.1 kV

发射极 - 基极电压 VEBO:7 V

集电极—射极饱和电压:2 V

最大直流电集电极电流:1.5 A

增益带宽产品fT:15 MHz

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:KSC5026M

高度:11 mm

长度:8 mm

封装:Bulk

宽度:3.25 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

集电极连续电流:1.5 A

Pd-功率耗散:20 W

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:2000

子类别:Transistors

单位重量:761 mg

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