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KIA75NF75 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 漏源电压(Vdss):80V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:9mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):240W(Tc) 类型:N沟道
KIA75NF75的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)80V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)80A(Tc)

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻9mΩ @ 40A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)240W(Tc)

类型N沟道

供应商KIA75NF75
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KIA75NF75连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 漏源电压(Vdss):80V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:9mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):240W(Tc) 类型:N沟道KIA 半导体KIA 半导体的LOGO459.61 Kbytes共7页KIA75NF75的PDF下载地址
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KIA75NF75KIA 半导体连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 漏源电压(Vdss):80V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:9mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):240W(Tc) 类型:N沟道1+:¥2.78
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