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JANTXV2N4261UB /
JANTXV2N4261UB的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极(Ic)(最大值):30mA

电压 - 集射极击穿(最大值):15V

不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):350mV @ 1mA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值):10µA(ICBO)

不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 10mA,1V

功率 - 最大值:200mW

工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:3-SMD,无引线

供应商器件封装:UB

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商JANTXV2N4261UB
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集好芯城JANTXV2N4261UB/TR深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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JANTXV2N4261UBMicrosemi双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT100:¥316.8859
250:¥295.7549
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Mouser 贸泽电子
JANTXV2N4261UB/TRMicrosemi双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)100:¥318.1176
250:¥296.9075