晶体管类型：NPN

电压 - 集射极击穿（最大值）：12V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：300mV @ 3mA，30mA

电流 - 集电极截止（最大值）：10µA（ICBO）

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：60 @ 10mA，1V

功率 - 最大值：400mW

工作温度：-65°C ~ 200°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：3-SMD，无引线

供应商器件封装：UB

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs