产品培训模块：Discrete Power MOSFETs 40V and Below

设计资源：IRFH6200TR2PBF Saber Model IRFH6200TR2PBF Spice Model

标准包装：1

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：HEXFET®

包装：剪切带（CT）

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：49A（Ta），100A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：0.95 毫欧 @ 50A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.1V @ 150µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：230nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：10890pF @ 10V

功率 - 最大值：3.6W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-PowerVDFN

供应商器件封装：PQFN（5x6）

其它名称：IRFH6200TR2PBFCT