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IRFH5302TR2PBF /International Rectifier/分立半导体产品
IRFH5302TR2PBF的规格信息
IRFH5302TR2PBF的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

产品培训模块：Discrete Power MOSFETs 40V and Below

设计资源：IRFH5302TR2PBF Saber Model IRFH5302TR2PBF Spice Model

标准包装：1

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：HEXFET®

包装：剪切带（CT）

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：32A（Ta），100A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：2.1 毫欧 @ 50A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.35V @ 100µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：76nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：4400pF @ 15V

功率 - 最大值：3.6W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-PowerVDFN

供应商器件封装：PQFN（5x6）单芯片焊盘

其它名称：IRFH5302TR2PBFCT

供应商IRFH5302TR2PBF
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深圳市芯幂科技有限公司IRFH5302TR2PBF深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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IRFH5302TR2PBF及相关型号的PDF资料
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IRFH5302TR2PBFHEXFET Power MOSFET IRF[International Rectifier]IRF[International Rectifier]的LOGO215.03 Kbytes共8页IRFH5302TR2PBF的PDF下载地址无
IRFH5302TR2PBF的全球分销商及价格
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Digi-Key 得捷电子		IRFH5302TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 32A 5X6 PQFNObsolete
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TME Electronic Components		IRFH5302TR2PBFINTERNATIONAL RECTIFIERTransistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 3.6W; PQFN100 : $0.68
400 : $0.6
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