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IRFE9110 / MOSFET
IRFE9110的规格信息
IRFE9110的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:International Rectifier

产品种类:MOSFET

Id-连续漏极电流:2.5 A

Vds-漏源极击穿电压:- 100 V

Rds On-漏源导通电阻:1.2 Ohms

晶体管极性:P-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:15 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:LLCC-18

商标:International Rectifier

通道模式:Enhancement

配置:Single Hex Drain Octal Source Dual Gate

下降时间:40 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:60 ns

典型关闭延迟时间:40 ns

典型接通延迟时间:30 ns

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深圳市辉华拓展电子有限公司IRFE9110深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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IRFE9110P-CHANNEL POWER MOSFET SEME-LAB[Seme LAB]SEME-LAB[Seme LAB]的LOGO19.18 Kbytes共2页IRFE9110的PDF下载地址SI3831DV,UPA2713GR,STS4DPF20L,STS7C4F30L,STT3PF20V,AF9478P,AAT8307,AAT8543,AP2030SD,AP4501GSD
IRFE9110REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS SURFACE MOUNT (LCC-18) IRF[International Rectifier]IRF[International Rectifier]的LOGO124.1 Kbytes共7页IRFE9110的PDF下载地址IRFE130,IRFE230,IRFE024,IRF044,IRF240,IRFAC40,EMD4DXV6T1,EMC2DXV5T1_05,SMS1546,2SC4617_04
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99 : $33.9112
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