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IRFD9113 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
IRFD9113的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:2,500

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:-

包装:管件

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):600mA(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.6 欧姆 @ 300mA,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):15nC @ 15V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):250pF @ 25V

功率 - 最大值:1W

安装类型:通孔

封装/外壳:4-DIP(0.300",7.62mm)

供应商器件封装:4-DIP,Hexdip,HVMDIP

供应商IRFD9113
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IRFD9113-0.6A and -0.7A, -80V and -100V, 1.2 and 1.6 Ohm, P-Channel Power MOSFETs HARRIS[Harris Corporation]HARRIS[Harris Corporation]的LOGO342.88 Kbytes共6页IRFD9113的PDF下载地址RFH25P08,RFL1P08,RFP2P08,RFP6P08,RFP8P08,IRF9230,IRFAC40,IRFBC40,FSL913A0D,FSS9130D
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IRFD9113Vishay半导体 MOSFET P-Chan 100V 0.7 Amp FET - 单 - 分立半导体产品2500+:¥7.471+:¥13.67
10+:¥11.02
100+:¥8.78
500+:¥8.78
1000+:¥8.1801
2500+:¥7.51
5000+:¥7.44
10000+:¥7.15
25000+:¥7.111+:¥9.08
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IRFD9113Vishay半导体 MOSFET P-Chan 100V 0.7 Amp FET - 单 - 分立半导体产品2500+:¥7.47
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IRFD9113Vishay半导体 MOSFET P-Chan 100V 0.7 Amp FET - 单 - 分立半导体产品2500+:¥7.471+:¥13.67
10+:¥11.02
100+:¥8.78
500+:¥8.78
1000+:¥8.1801
2500+:¥7.51
5000+:¥7.44
10000+:¥7.15
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IRFD9113Harris2500+:¥7.471+:¥13.67
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500+:¥8.78
1000+:¥8.1801
2500+:¥7.51
5000+:¥7.44
10000+:¥7.15
25000+:¥7.111+:¥9.081+:¥3.92
25+:¥3.89
50+:¥3.85
100+:¥3.81
300+:¥3.75
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5000+:¥3.66
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