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IRFD213 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
IRFD213的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:2,500

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:-

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):250V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):450mA(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2 欧姆 @ 270mA,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):8.2nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):140pF @ 25V

功率 - 最大值:1W

安装类型:通孔

封装/外壳:4-DIP(0.300",7.62mm)

供应商器件封装:4-DIP,Hexdip,HVMDIP

供应商IRFD213
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