FET类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：1.7A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：13nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：250pF @ 25V
Vgs（最大值）：±20V
功率耗散（最大值）：1W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：200 毫欧 @ 860mA，10V
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：4-DIP
封装形式Package：DIP-4
极性Polarity：N-CH
漏源极击穿电压VDSS：50V
连续漏极电流ID：1.7A
漏源极导通电阻RDS(ON)：200mOhms
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs