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IRFB7730PBF /MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET Power
IRFB7730PBF的规格信息
IRFB7730PBF的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:75 V

Id-连续漏极电流:195 A

Rds On-漏源导通电阻:2.6 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3.7 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:271 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:375 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:StrongIRFET

封装:Tube

高度:15.65 mm

长度:10 mm

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.4 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:249 S

下降时间:115 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:120 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:180 ns

典型接通延迟时间:21 ns

零件号别名:SP001556128

单位重量:6 g

供应商IRFB7730PBF
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深圳市威雅利发展有限公司IRFB7730PBF华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120		韩雪Email:3004202884@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司IRFB7730PBF深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
13267088774 (微信同号)		Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
现代芯城（深圳）科技有限公司IRFB7730PBFwww.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市佳威星科技有限公司IRFB7730PBF深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
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集好芯城IRFB7730PBF深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
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18938047708/18938048779		林炜东，林俊源Email:3004003952@qq.com询价
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司IRFB7730PBF深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司IRFB7730PBF深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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深圳市赛美科科技有限公司IRFB7730PBF广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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深圳市水星电子有限公司IRFB7730PBF地址1：深圳市龙岗区平湖街道华利嘉电子市场B1C177/地址2：深圳市福田区华强北街道赛格广场6402B0755-89585609
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深圳市华芯盛世科技有限公司IRFB7730PBF深圳市福田区上步工业区201栋530室0755-23941632
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IRFB7730PBF的全球分销商及价格
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Allied Electronics		IRFB7730PBFInfineonIRFB7730PBF N-channel MOSFET Transistor; 246 A; 75 V; 3-Pin TO-220AB50:$4.72
元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		IRFB7730PBFInternational Rectifier1+:￥25.6
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Digi-Key 得捷电子		IRFB7730PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 75V 195A TO220AB$3.26000
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
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Mouser 贸泽电子		IRFB7730PBFInfineon TechnologiesMOSFET 75V Single N-Channel HEXFET Power1:¥20.2835
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立创商城		IRFB7730PBFInfineon(英飞凌)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：195A(Tc) 漏源电压（Vdss）：75V 栅源极阈值电压：3.7V @ 250uA 漏源导通电阻：2.6mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：375W(Tc) 类型：N沟道1+:￥13.95
10+:￥10.46
30+:￥9.82
100+:￥8.721
500+:￥8.455
1000+:￥8.3125
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