FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：195A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.9V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：324nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：10820pF @ 25V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.6 毫欧 @ 100A，10V

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-220-3

封装/外壳：TO220

安装风格：ThroughHole

通道数量：1Channel

晶体管极性：N-Channel

Id-连续漏极电流：317A

Rds On-漏源导通电阻：1.25mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压：2.2V

Vgs - 栅极-源极电压：20V

Qg-栅极电荷：324nC

最小工作温度：-55C

最大工作温度：+175C

配置：Single

Pd-功率耗散：294W

通道模式：Enhancement

商标名：StrongIRFET

封装：Tube

高度：15.65mm

长度：10mm

晶体管类型：1N-Channel

宽度：4.4mm

正向跨导 - 最小值：211S

下降时间：68ns

典型关闭延迟时间：115ns

典型接通延迟时间：24ns

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs