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IRFB3207ZPBF /
IRFB3207ZPBF的规格信息
IRFB3207ZPBF的图片

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系列:HEXFET®

FET类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

电流-连续漏极(Id)(25°C时):120A(Tc)

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V @ 150µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):170nC @ 10V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):6920pF @ 50V

Vgs(最大值):±20V

功率耗散(最大值):300W(Tc)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):4.1 毫欧 @ 75A,10V

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO220

封装形式Package:TO-220AB

极性Polarity:N-CH

漏源极击穿电压VDSS:75V

连续漏极电流ID:170A

漏源电压(Vdss):75V

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):170nC

电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs:10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):6920pF

电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds:50V

供应商器件封装:TO-220AB

无铅情况/RoHs:

供应商IRFB3207ZPBF
IRFB3207ZPBF的供应商,可免费索样
供应商型号地址联系电话联系人在线联系询价
深圳市威雅利发展有限公司IRFB3207ZPBF华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120
韩雪Email:3004202884@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司IRFB3207ZPbF深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
13267088774 (微信同号)
Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
现代芯城(深圳)科技有限公司IRFB3207ZPBFwww.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司IRFB3207ZPbF深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
18938047708/18938048779
林炜东,林俊源Email:3004003952@qq.com询价
集好芯城IRFB3207ZPBF深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553
陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
集好芯城IRFB3207ZPbF深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-82564006
18188616613
郑小姐Email:sam@678ic.com询价
芯莱德电子(香港)有限公司IRFB3207ZPbF深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司IRFB3207ZPBF深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
18129819897
蔡小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市仓实科技有限公司IRFB3207ZPBF深圳市福田区福田街道17080955875李先生Email:service@cangshixc.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司IRFB3207ZPbF深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司IRFB3207ZPBF深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392
陈晓玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市坤融电子有限公司IRFB3207ZPBF航都大厦10I0755-23990975
13926529829,17318082080
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市博浩通科技有限公司IRFB3207ZPbF华强北宝华大厦A座8080755-82811430,0755-82818091
15989349634,13798567707
朱丽娜skype:bhtkj@hotmail.comEmail:bob@bhtkj.com询价
深圳市清腾科技有限公司IRFB3207ZPBF深圳市福田区华强北街道华航社区振兴路156号上步工业区405栋3190755-83993052
18390902447
刘先生Email:893018447@qq.com询价
深圳市安富世纪电子有限公司IRFB3207ZPBF深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
18124040553
杨丹妮Email:2881358670@qq.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司IRFB3207ZPBF深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222
余先生,张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市赛美科科技有限公司IRFB3207ZPBF广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
13480875861
雷小姐,微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
深圳市华芯盛世科技有限公司IRFB3207ZPBF深圳市福田区上步工业区201栋530室0755-23941632
13723794312
朱先生Email:PHZHUJUNWEI@163.COM询价
深圳市星宇佳科技有限公司IRFB3207ZPBF 其他被动元件深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
13332931905
谢先生Email:2851989182@qq.com询价
深圳市亿鸿丰电子科技有限公司IRFB3207ZPBF深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼2100755-83230201
19147724283,19147721680
王小姐,刘先生Email:345720093@qq.com询价
IRFB3207ZPBF及相关型号的PDF资料
型号功能描述生产厂商厂商LOGOPDF大小PDF页数下载地址相关型号
IRFB3207ZPBFHEXFET Power MOSFET IRF[International Rectifier]IRF[International Rectifier]的LOGO829.1 Kbytes共11页IRFB3207ZPBF的PDF下载地址IRFZ34VPBF,IRF7210PBF,IRFR210PBF,IRLZ4S,IRFC240,IRF8010PBF,IRFS4321PBF,IRF3704ZCSPBF,IRFB4321PBF,IRL520NS
IRFB3207ZPbF连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A 漏源电压(Vdss):75V 栅源极阈值电压:4V @ 150uA 漏源导通电阻:4.1mΩ @ 75A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):300W 类型:N沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO330.99 Kbytes共12页IRFB3207ZPbF的PDF下载地址
IRFB3207ZPBF的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Allied Electronics的LOGO
Allied Electronics
IRFB3207ZPBFInternational RectifierMOSFET, N Ch., 75V, 170A, 4.1 MOHM, 120NC QG, TO-220AB, Pb-Free250 : $1.98
500 : $1.9
1,000 : $1.82
2,500 : $1.74
元器件资料网-Allied Electronics的LOGO
Allied Electronics
IRFB3207ZPBFInfineonIRFB3207ZPBF N-channel MOSFET Transistor; 170 A; 75 V; 3-Pin TO-220AB2:$4.44
元器件资料网-Avnet Express的LOGO
Avnet Express
IRFB3207ZPBFInternational Rectifier50 : $2.224
元器件资料网-Chip1Stop的LOGO
Chip1Stop
IRFB3207ZPBFIR/InfineonTrans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
RoHS : Compliant
50 : $1.66
500 : $1.53
2,000 : $1.13
元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop
IRFB3207ZPBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC Qg1+:¥28.36
10+:¥19.42
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500+:¥10.8
1000+:¥8.57
2000+:¥7.92
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
IRFB3207ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 75V 120A TO220AB$2.64000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
IRFB3207ZPBFInternational RectifierIRFB3207 - 12V-300V N-CHANNEL PO$1.04000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
IRFB3207ZPBFINFINEON TECHNOLOGIES AMERICAS CORP.MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB250 : $1.989
100 : $2.1229
50 : $2.2478
25 : $2.4012
10 : $2.669
1 : $3.9
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
IRFB3207ZPBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC Qg1+:¥28.36
10+:¥19.42
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元器件资料网-element14 Asia-Pacific的LOGO
element14 Asia-Pacific
IRFB3207ZPBFInternational Rectifier1 : $25.68
10 : $14.75
100 : $13.96
250 : $13.04
500 : $12.51
1,000 : $11.98
2,500 : $11.46
5,000 : $11.06
元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
element14 e络盟电子
IRFB3207ZPBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC Qg1+:¥28.36
10+:¥19.42
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2500+:¥12.0499
5000+:¥11.64
元器件资料网-Future Electronics的LOGO
Future Electronics
IRFB3207ZPBFInternational RectifierSingle N-Channel 75 V 300 W 120 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB
RoHS : Compliant
400 : $1.2222
元器件资料网-Future(富昌)的LOGO
Future(富昌)
IRFB3207ZPBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC Qg1+:¥28.36
10+:¥19.42
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2000+:¥7.9250+:¥7.72
500+:¥7.34
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
IRFB3207ZPBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC Qg1+:¥28.36
10+:¥19.42
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
IRFB3207ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC Qg1:¥20.2835
10:¥17.289
100:¥13.8312
500:¥12.0684
1,000:¥9.9892
元器件资料网-Rutronik的LOGO
Rutronik
IRFB3207ZPBFIRN-CH 75V 170A 4,1mOhm TO220-3 RoHSconf价格未公开
元器件资料网-TME Electronic Components的LOGO
TME Electronic Components
IRFB3207ZPBFINTERNATIONAL RECTIFIERTransistor: N-MOSFET; unipolar; HEXFET; 75V; 170A; 300W; TO220AB50 : $1.19
250 : $1.03
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城
IRFB3207ZPbFInfineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A 漏源电压(Vdss):75V 栅源极阈值电压:4V @ 150uA 漏源导通电阻:4.1mΩ @ 75A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):300W 类型:N沟道1+:¥9.38
10+:¥7.07
30+:¥6.64
100+:¥6.22
500+:¥6.03
1000+:¥5.93