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IRFB17N20D /International Rectifier/分立半导体产品
IRFB17N20D的规格信息
IRFB17N20D的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

标准包装：50

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：HEXFET®

包装：管件

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压（Vdss）：200V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：16A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：170 毫欧 @ 9.8A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：5.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：50nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：1100pF @ 25V

功率 - 最大值：3.8W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

供应商器件封装：TO-220AB

其它名称：*IRFB17N20D

供应商IRFB17N20D
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现代芯城（深圳）科技有限公司IRFB17N20Dwww.nowchip.com0755-27381274
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深圳市芯幂科技有限公司IRFB17N20D深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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深圳市鑫晟源电子科技有限公司IRFB17N20D深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
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IRFB17N20DPower MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.17ohm, Id=16A) IRF[International Rectifier]IRF[International Rectifier]的LOGO194.73 Kbytes共11页IRFB17N20D的PDF下载地址SBF50P10-023L,SHD224701,IRFY240CM,SHD225701,SHD244702,STB11NM60FD,STD36NH02L,IRF530,MMDF4N01HD,MMSF5N03HD
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