产品种类MOSFET

晶体管极性P-Channel

汲极/源极击穿电压100 V

闸/源击穿电压+/- 20 V

漏极连续电流19 A

电阻汲极/源极 RDS（导通）200 mOhms

配置Single

最大工作温度+ 175 C

安装风格SMD/SMT

封装 / 箱体D2PAK

封装Reel

下降时间57 ns

最小工作温度- 55 C

功率耗散150000 mW

上升时间73 ns

工厂包装数量800

典型关闭延迟时间34 ns