产品培训模块：High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below

设计资源：IRF8915 Saber Model IRF8915 Spice Model

标准包装：95

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 阵列

系列：HEXFET®

包装：管件

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：8.9A

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：18.3 毫欧 @ 8.9A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：7.4nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：540pF @ 10V

功率 - 最大值：2W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SO