产品培训模块：High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below
标准包装：4,000
类别：分立半导体产品
家庭：FET - 单
系列：HEXFET®
包装：带卷（TR）
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：14A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：8.5 毫欧 @ 14A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.35V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：12nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：1040pF @ 15V
功率 - 最大值：2.5W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SO
其它名称：IRF8721GTRPBFTR