FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：25V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：25A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.35V @ 100µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：53nC

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：4.5V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：5305pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：13V

功率耗散（最大值）：2.5W（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：2.7 毫欧 @ 25A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：8-SO

封装/外壳：SO8

通道类型：N

最大连续漏极电流：25 A

最大漏源电压：25 V

最大漏源电阻值：3 m0hms

最大栅阈值电压：2.35V

最小栅阈值电压：1.35V

最大栅源电压：-20 V、+20 V

封装类型：SOIC

引脚数目：8

晶体管配置：单

通道模式：增强

类别：功率 MOSFET

最大功率耗散：2.5 W

高度：1.5mm

每片芯片元件数目：1

尺寸：5 x 4 x 1.5mm

宽度：4mm

系列：HEXFET

晶体管材料：Si

典型栅极电荷@Vgs：35 nC @ 4.5 V

典型输入电容值@Vds：5305 pF@ 13 V

典型关断延迟时间：19 ns

典型接通延迟时间：23 ns

最低工作温度：-55 °C

最高工作温度：+150 °C

长度：5mm

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs